聚焦离子束技术（FIB）原理：

聚焦离子束(FIB)系统利用镓离子源和双透镜聚焦柱，用强烈的聚焦离子束轰击标本表面，以进行精密材料去除、沉积和高分辨率成像。简单来说是聚合了FIB处理样品和SEM观察成相的功能。其中FIB是将Ga元素离子化成Ga+，然后利用电场加速，再利用静电透镜聚焦将高能量的Ga+打到指定点从而达到处理样品的功能。

应用领域

 1）在IC生产工艺中，发现微区电路蚀刻有错误，可利用FIB的切割，断开原来的电路，再使用定区域喷金，搭接到其他电路上，实现电路修改，最高精度可达5nm。

（2）产品表面存在微纳米级缺陷，如异物、腐蚀、氧化等问题，需观察缺陷与基材的界面情况，利用FIB就可以准确定位切割，制备缺陷位置截面样品，再利用SEM观察界面情况。

（3）微米级尺寸的样品，经过表面处理形成薄膜，需要观察薄膜的结构、与基材的结合程度，可利用FIB切割制样，再使用SEM观察

FIB-SEM切片测试过程

服务领域：光电材料，半导体材料，镀膜材料， 金属材料，矿石，纳米材料，高分子材料，锂电材料，数据存储，生物材料，通讯行业等。

聚焦离子束-扫描电子显微镜双束系统 FIB-SEM应用

聚焦离子束-扫描电镜双束系统主要用于表面二次电子形貌观察、能谱面扫描、样品截面观察、微小样品标记以及TEM超薄片样品的制备。

1.FIB切片截面分析 FIB-SEM测试

FIB技术可以精确地在器件的特定微区进行截面观测，形成高分辨的清晰图像，并且对所加工的材料没有限制，同时可以边刻蚀边利用SEM实时观察样品，截面分析是FIB最常见的应用。这种刻蚀断面定位精度极高，在整个制样过程中样品所受应力很小，制作的断面因此也具有很好的完整性。这种应用在微电子领域具体运用场合主要有：定点观测芯片的内部结构；失效样品分析烧毁的具体位置并定位至外延层；分析光发射定位热点的截面结构缺陷。

FIB制备TEM样品过程：

用电子束或离子束辅助沉积的方法在待制备TEM试样的表面蒸镀Pt保护覆层，以避免最终的TEM试样受到Ga离子束导致的辐照损伤；
2. Bulk-out：在带制备的TEM试样两侧用较大的例子束流快速挖取“V”型凹坑；
3. U-cut：在步骤（2）中切取出的TEM薄片上切除薄片的两端和底部；
4. Lift-out：用显微操控针将TEM试样从块状基体移出，试样与针之间用蒸镀Pt方式粘结；
5. Mount on Cu half-grid：用显微操控针将移出的TEM薄片转移并粘接在预先准备好的TEM支架上；
6. Final milling：用较小利息束流对TEM薄片进一步减薄，直至厚度约约100 nm。

FIB配合TEM进行复杂操作